[发明专利]一种高介电常数低温共烧陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210011155.6 申请日: 2012-01-13
公开(公告)号: CN102584216A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 石吉伟;伍隽;庞新锋 申请(专利权)人: 深圳顺络电子股份有限公司
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;C04B35/622
代理公司: 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 代理人: 张皋翔
地址: 518110 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,包括BaTiO3和助烧剂,所述BaTiO3重量百分比为80.0~95.0%;所述助烧剂包括:重量百分比为0.1~10.0%的Bi2O3;重量百分比为0.1~5.0%的CuO;重量百分比为0.1~8.0%的低熔点玻璃,其组分还包括重量百分比为0.1~1.0%的MnCO3,本发明还提供了所述高介电常数低温共烧陶瓷材料的制备方法。本发明的高介电常数低温共烧陶瓷材料可用于制作埋置超大电容的滤波器;有助于整合不同特性的功能材料;同时因其具有良好的介温特性,较低的介质损耗,并具有良好的绝缘特性,可望用于开发新型复合器件和功能模块。
搜索关键词: 一种 介电常数 低温 陶瓷材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种高介电常数低温共烧陶瓷材料,其特征在于,包括钛酸钡和助烧剂,其特征在于,所述钛酸钡的重量百分比如下:BaTiO3        80.0~95.0%;所述助烧剂的组分及其重量百分比如下:Bi2O3        0.1~10.0%CuO          0.1~5.0%低熔点玻璃   0.1~8.0%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳顺络电子股份有限公司,未经深圳顺络电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210011155.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top