[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210012279.6 | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103208509A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 李琮雄;杜尚晖 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一基底、第一及第二外延层以及一栅极结构。基底具有一第一掺杂区及位于其上的一第二掺杂区，其中第一及第二掺杂区具有一第一导电类型，且第二掺杂区内具有至少一第一沟槽及与其相邻的至少一第二沟槽。第一外延层设置于第一沟槽内，且具有一第二导电类型。第二外延层设置于第二沟槽内，且具有该第一导电类型，其中第二外延层具有一掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度，且小于第一掺杂区的掺杂浓度。栅极结构设置于第二沟槽上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，所述的半导体装置包括：一基底，具有一第一掺杂区及位于其上的一第二掺杂区，其中所述第一及所述第二掺杂区具有一第一导电类型，且其中所述第二掺杂区内具有至少一第一沟槽及与其相邻的至少一第二沟槽；一第一外延层，设置于所述第一沟槽内，且具有一第二导电类型；一第二外延层，设置于所述第二沟槽内，且具有所述第一导电类型，其中所述第二外延层具有一掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度，且小于所述第一掺杂区的掺杂浓度；以及一栅极结构，设置于所述第二沟槽上方。
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