[发明专利]一种双面溅射金属层减小硅圆片翘曲的结构无效
| 申请号： | 201210012854.2 | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN102655125A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 宁文果;罗乐;徐高卫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双面溅射金属层减小硅圆片翘曲的结构，应用于圆片级芯片尺寸封装技术领域。其特征在于：溅射于硅圆片(1)正面的用于将来制作图形的金属层(2)、在硅圆片(1)的背面溅射用于减小硅圆片翘曲的金属层(3)；所溅射的背面金属的热膨胀系数大于正面溅射金属的热膨胀系数，则背面溅射的金属层的厚度小于正面溅射金属层的厚度，反之亦然；当正面和背面溅射的金属膨胀系数相同时则正面和反面溅射的金属层厚度相同。本发明的特点是通过在正面溅射金属层的硅圆片背面溅射金属层来减小圆片翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 溅射 金属 减小 硅圆片翘曲 结构 | ||
【主权项】：
一种双面溅射金属层减小硅圆片翘曲的结构，其特征在于溅射于硅圆片(1)正面的用于将来制作图形的金属层(2)、在硅圆片(1)的背面溅射用于减小硅圆片翘曲的金属层(3)；所溅射的背面金属的热膨胀系数大于正面溅射金属的热膨胀系数，则背面溅射的金属层的厚度小于正面溅射金属层的厚度，反之亦然；当正面和背面溅射的金属膨胀系数相同时则正面和反面溅射的金属层厚度相同。
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