[发明专利]一种光刻胶背面曝光工艺无效
| 申请号： | 201210013655.3 | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN102566313A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 廖广兰;谭先华;史铁林;刘文亮;高阳 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光刻胶背面曝光工艺，包括：1、以洁净的透明玻璃基片作为基底，在其正面溅射一层铬作为掩膜层，掩膜层厚度为200nm-500nm；2、在铬掩膜层层上均匀涂覆一层光刻胶，然后依次进行曝光、显影，得到所需光刻胶图形；3、湿法腐蚀铬掩膜层，将光刻胶图形转移到铬掩膜层上，得到所需的掩膜层图形；4、在铬掩膜层图形上涂覆光刻胶；5、将透明玻璃基片正面朝下，进行曝光；6、将曝光的透明玻璃基片显影，完毕得到所需的光刻胶结构。本发明可以制作高深宽比的侧壁陡直的光刻胶结构，消除光刻胶中因为驻波效应导致的侧壁波纹，也能够避免因光刻胶涂覆不均匀而导致的图形变形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 背面 曝光 工艺 | ||
【主权项】：
一种光刻胶背面曝光工艺，其特征在于，该方法包括下述步骤：第1步 溅射铬掩膜层：以洁净的透明玻璃基片作为基底，在其正面溅射一层铬作为掩膜层，掩膜层厚度为200nm‑500nm；第2步 在铬掩膜层层上均匀涂覆一层光刻胶，然后依次进行曝光、显影，得到所需光刻胶图形；第3步 湿法腐蚀铬掩膜层，将光刻胶图形转移到铬掩膜层上，得到所需的掩膜层图形；第4步 在铬掩膜层图形上涂覆光刻胶，光刻胶厚度为5‑100um；第5步 将透明玻璃基片正面朝下，进行曝光；第6步 将曝光的透明玻璃基片显影，完毕得到所需的光刻胶结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210013655.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：桥梁损坏紧急报警系统装置
- 下一篇：烟花生产线自动冲压装填纸片工艺
