[发明专利]垂直型半导体器件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210014507.3 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102610636A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·迪斯尼 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直型半导体器件及其制作方法。该垂直型半导体器件包括：衬底，具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；外延层，位于衬底的第一表面，具有与衬底的第一表面相对的第三表面；源极区和栅极，位于外延层中并邻近第三表面；源极电极，与源极区耦接并与栅极隔离；漏极电极，位于衬底的第二表面；第一栅极电极，制作于衬底的第二表面附近，与衬底隔离；以及深栅极接触，将栅极耦接至第一栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种垂直型半导体器件，包括：衬底，具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；外延层，位于衬底的第一表面，具有与衬底的第一表面相对的第三表面；源极区和栅极，位于外延层中并邻近第三表面；源极电极，与源极区耦接并与栅极隔离；漏极电极，位于衬底的第二表面；第一栅极电极，制作于衬底的第二表面附近，与衬底隔离；以及深栅极接触，将栅极耦接至第一栅极电极。
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