[发明专利]减小双层前金属介电质层开裂现象的方法无效
| 申请号： | 201210014805.2 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102610556A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;郑春生;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种减小双层前金属介电质层开裂现象的方法、以及所述方法制备的MOS器件，在第一金属介电层和第二金属介电层之间，形成有过渡层，其中，过渡层材质与第二金属介电层材质之间的粘结性大于过渡层与第一金属介电层材质之间的粘结性，由于过渡层原位生长在第一金属介电层上，没有破真空，所以使得过渡层与第一金属介电层之间产生了很好的粘结性；同时过渡层与第二金属介电层性质接近，与第二金属介电层之间也具有良好的粘结性，从而缓解或消除了双层前金属介电层两层薄膜之间的开裂。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 双层 金属 介电质层 开裂 现象 方法 | ||
【主权项】：
一种减小双层前金属介电质层开裂现象的方法，其特征在于，步骤1，提供具有NMOS和/或PMOS区域的衬底，在所述衬底上沉积蚀刻阻挡层；步骤2，在所述阻挡层上沉积第一金属介电层；步骤3，在第一金属介电层上原位生长一层过渡层；步骤4，在所述过渡层上沉积第二金属介电层；步骤5，对第二金属介电层进行化学机械研磨至设计要求的厚度；其中，过渡层材质与第二金属介电层材质之间的粘结性大于过渡层与第一金属介电层材质之间的粘结性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
