[发明专利]局部阳极氧化制备纳米织构的方法无效
| 申请号： | 201210014870.5 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102530842A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 莫宇飞;黄福川;卢朝霞;杨茂立 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广西南宁公平专利事务所有限责任公司 45104 | 代理人： | 杨立华;翁建华 |
| 地址： | 530004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种局部阳极氧化制备纳米织构的方法，该方法基于导电原子力显微镜，采用局部阳极氧化法制备纳米织构，可通过选择不同的脉冲电压、脉冲宽度以及表面湿度来实现对纳米织构高度(0.5～12nm)的控制。应用本发明制备的纳米织构，可有效阻止微纳米光机电系统器件表面的大面积接触，显著减小其表面粘着力。因此，本发明所制备的表面纳米织构具有很好的抗粘着性能。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 阳极 氧化 制备 纳米 方法 | ||
【主权项】：
一种局部阳极氧化制备纳米织构的方法，其特征在于包括以下步骤：<1>羟基化单晶硅表面的制备先将单晶硅片的单晶硅表面浸泡在HF水溶液中进行氢钝化；取出氢钝化的单晶硅片，在去离子水中超声清洗，然后氮气吹干；<2>表面纳米织构的制备根据预设的图案编辑计算机脚本，将该计算机脚本导入导电原子力显微镜在线控制软件中，绘制出预设的图案；操作导电原子力显微镜，在控制脉冲电压、脉冲宽度和湿度的条件下，进行氧化加工，加工后的单晶硅片表面纳米织构经过导电原子力显微镜扫描后确认。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广西大学，未经广西大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210014870.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
