[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201210015066.9 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN102623411A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 曼弗雷德·恩格尔哈德特;福尔克尔·斯特鲁特兹;卡斯滕·冯科布林斯基 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括玻璃基片、设置于玻璃基片上的半导体基片、以及设置于半导体基片之内和/或之上的磁性传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：绝缘基片；半导体基片，设置于所述绝缘基片上，其中，所述半导体基片和所述绝缘基片具有大致相同的热膨胀系数；器件区域，设置于所述半导体基片内；以及隔离层，所述隔离层衬于所述半导体基片的侧壁。
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