[发明专利]制备硅纳米线阵列的方法无效
| 申请号： | 201210015990.7 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102560493A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 陶斯禄;蒋一岚;周春 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C23F1/24;C01B33/021 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 武森涛 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米硅的制备技术领域。本发明先在洁净的硅片上进行银镜反应；然后将其放入刻蚀液中在一定温度下进行刻蚀，所述刻蚀液为含有HF和H2O2的混合水溶液；刻蚀完成后的硅片进行水洗，然后除银水洗，最后真空干燥既可得到硅纳米线的阵列。该方法有利于在硅片表面进行选择性刻蚀得到硅纳米线阵列，且所需温度低、设备简单、制备迅捷，能够成功地制备出大面积规则排列的硅纳米线阵列，适用于微电子行业以及规模化工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
制备硅纳米线阵列的方法，其特征在于由以下步骤完成：a、在洁净的硅片上进行银镜反应；b、然后将其放入刻蚀液中进行刻蚀，所述刻蚀液为含有HF和H2O2的混合水溶液；c、刻蚀完成后的硅片进行水洗，然后除银水洗，最后真空干燥既可。
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