[发明专利]石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210016257.7 申请日: 2012-01-18
公开(公告)号: CN103219061A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 黄富强;周密;毕辉 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: H01B1/18 分类号: H01B1/18;H01B13/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 郭辉
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种新型的石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料与制备方法。所述方法包括:将粉体材料经过压片成型,形成多孔基底;并采用在绝缘底衬上直接生长石墨烯的方法得到石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料,该材料具有优良的导电性能。本发明所用陶瓷材料为二氧化硅、三氧化二铝、氮化铝、碳化硅、氧化锆和碳化硼等材料,通过成型方法得到多孔材料;利用化学气相沉积的方法,运用直接在绝缘底衬上生长石墨烯的工艺宏量制备石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料。该石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料的制备具有原创性和积极的科学意义,并能应用到光伏、导电、散热等诸多领域。
搜索关键词: 石墨 多孔 陶瓷 复合 导电 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料的制备方法,其中,所述石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料是由石墨烯、多孔陶瓷形成的复合材料;所述方法包括:(a)将一种或多种陶瓷粉体研磨成为粒径大小不一的粉体;(b)将所述粉体和粘结剂共混和研磨,混合均匀后烘干,获得烘干后的样品;(c)将烘干后的混合物进行成型,得到多孔的基底;(d)将多孔的基底高温退火成型,得到多孔的陶瓷基底;(e)通过化学气相沉积方法,在该多孔的陶瓷基底上直接生长石墨烯,得到石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料。
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