[发明专利]一种半导体薄膜光电性能的测试方法

摘要

本发明涉及一种半导体薄膜材料光电性能的测试方法，通过在半导体薄膜（1）的表面涂抹导电银浆方式，形成两个长条状平行共面电极，通过数字万用表（3）在两电极间施加一个直流电压，由数字万用表（3）读出电流并计算出薄膜的电导率。本发明提供的测试方法能有效替代传统的热反应蒸发或磁控溅射铝电极或银电极的方法，节约了设备成本和电极制备时间，同时也能准确地反映材料的光电性能。

主权项

1.一种半导体薄膜光电性能的测试方法，其特征在于包括以下步骤：a、采用导电银浆料，在半导体薄膜的薄膜表面涂制两条间隔一定距离的长条形电极，经常温自然干燥与固化后形成半导体薄膜的测试样品；b、将测试样品放置于密封的真空腔体中，测试样品的两个电极分别通过导线连接数字万用表；c、将真空腔体掩盖避光，通过数字万用表对两个电极施加一定的直流电压，读出数字万用表显示的暗电流I_d，通过公式，计算出半导体薄膜的暗电导率，公式中，为薄膜的电导率，I为由数字万用表读出的电流值，a为电极的间距，V为两电极间的直流电压，b为电极长度，d为半导体薄膜的厚度；d、撤除真空腔体掩盖，用光源照射测试样品，通过数字万用表对两个电极施加一定的直流电压，读出数字万用表显示的光电流Il，通过公式，计算出半导体薄膜光照条件的光电导率；e、光电导率与暗电导率的比值即为薄膜的光敏特性。