[发明专利]三维集成电路结构及材料的制造方法

摘要

本发明涉及一种新型的三维集成电路结构及材料的制造方法，步骤是在热塑性承载材料中加入醇类和/或醛类，用注塑机注塑成型为构件，质量含量5-10％；用激光射线在构件的表面照射出的线路图案；浸入pH＝4-6的至少一种金属离子的溶液浸泡5-7分钟，水洗后放入pH＝5的含有还原剂的水溶液中浸泡5-7分钟，在还原生成金属核的区域进行化学镀铜，镀层厚度为1-12微米，再中磷化学镀镍，镀层厚度为2-3微米。本发明在制备金属电路导体的过程中，由于塑性材料中不含有任何金属元素，保持了承载材料的原有机械性能，而且性能稳定，提高了导体轨道与承载材料之间的附着力，提高了三维集成电路的质量，降低了成本，减少了污染。

主权项

一种三维集成电路结构及材料的制造方法，其特征在于它是经过如下的步骤：1)在热塑性承载材料中加入非金属光诱导催化剂醇类和/或醛类，用注塑机注塑成型为构件，质量含量5‑10％；2)用激光射线在构件的表面照射出的线路图案；3)室温下浸入pH＝4‑6的至少含一种金属离子的溶液中，浸泡5‑7分钟；4)用蒸馏水洗后放入pH＝5的含有还原剂的水溶液中浸泡5‑7分钟，构件的表面生成金属核；5)在生成金属核的区域进行化学镀铜，镀层厚度为1‑12微米，再中磷化学镀镍，镀层厚度为2‑3微米。