[发明专利]包括外延区域的半导体器件有效
| 申请号： | 201210016594.6 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102623317A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 潘德人;林育贤;沈香谷;范玮寒;林昀靓;黄益民;王梓仲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种包括外延区域的半导体器件，包括：半导体基板；在该基板上的栅极结构；外延区域，设置在该基板上并邻近栅极结构；隔离元件，与栅极结构邻接；以及层间电介质层，覆盖在隔离元件上。还提供一种方法，包括：提供基板并且在基板上形成与栅极结构邻接的第一隔离材料层。第二隔离材料层邻近形成，与栅极结构邻接并覆盖在第一隔离材料层上。然后，第一隔离材料层和第二隔离材料层被同时蚀刻，以分别形成第一和第二隔离层。外延区域形成(例如，生长)在基板上，基板包括与第一和第二隔离层中的每个接合的界面。第二隔离层可以被随后去除，并且保留在器件上的第一隔离层减小ILD间隔填充的纵横比。第一隔离层的典型合成物是SiCN。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 外延 区域 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供基板；在所述基板上形成与栅极结构邻接的第一隔离材料层，其中，所述第一隔离材料层包括硅和碳；形成覆盖在所述第一隔离材料层上的第二隔离材料层；同时蚀刻所述第一隔离材料层和所述第二隔离材料层，以分别形成第一隔离层和第二隔离层；以及在与所述第一隔离层和第二隔离层接合的所述基板上形成外延区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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