[发明专利]半导体装置及其制造方法及制造装置有效
| 申请号： | 201210017248.X | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102610566A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 黑泽哲也;田久真也;友野章 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘瑞东;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置及其制造方法及制造装置。根据一实施例，公开了半导体装置的制造方法。该方法包含：(a)在形成有半导体元件的半导体晶片的元件形成面形成切断沟的步骤；(b)在上述半导体晶片的元件形成面贴附保护带的步骤；(c)研削上述半导体晶片的背面，使上述半导体晶片薄化，并将上述半导体晶片分割为形成有半导体元件的多个半导体芯片的步骤；(d)在上述半导体晶片的背面形成粘接剂层的步骤；(e)通过加热在上述半导体晶片的背面形成的上述粘接剂层使其熔融或软化并向上述粘接剂层吹出高压空气，将上述粘接剂层按每个上述半导体芯片分离切断的步骤；以及(f)剥离上述保护带的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：(a)在形成有半导体元件的半导体晶片的元件形成面形成切断沟的步骤；(b)在上述半导体晶片的元件形成面贴附保护带的步骤；(c)研削上述半导体晶片的背面，使上述半导体晶片薄化，并将上述半导体晶片分割为形成有半导体元件的多个半导体芯片的步骤；(d)在上述半导体晶片的背面形成粘接剂层的步骤；(e)通过加热在上述半导体晶片的背面形成的上述粘接剂层使其熔融或软化并向上述粘接剂层吹出高压空气，将上述粘接剂层按每个上述半导体芯片分离切断的步骤；以及(f)剥离上述保护带的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
