[发明专利]晶棒表面纳米化工艺、晶圆制造方法及其晶圆无效
申请号: | 201210017290.1 | 申请日: | 2012-01-19 |
公开(公告)号: | CN103160930A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 钱俊逸;李建志;杨昆霖;徐文庆 | 申请(专利权)人: | 昆山中辰矽晶有限公司 |
主分类号: | C30B33/00 | 分类号: | C30B33/00;C30B33/10 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 215316 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种晶棒表面纳米化工艺,是在晶棒进行切片步骤之前,先针对晶棒的至少一表面进行一表面处理步骤,以及在所述表面形成一具有纳米结构的微结构层;所述的具有纳米结构的微结构层可强化晶棒表面的强度,以降低切片时的碎边率。本发明还涉及晶圆制造方法及其晶圆。 | ||
搜索关键词: | 表面 纳米 化工 制造 方法 及其 | ||
【主权项】:
一种晶棒表面纳米化工艺,其特征在于,在晶棒进行切片步骤之前,先针对晶棒的至少一表面进行一表面处理步骤,以在所述表面形成一具有纳米结构的微结构层。
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