[发明专利]高频开关有效
申请号: | 201210018316.4 | 申请日: | 2012-01-19 |
公开(公告)号: | CN103219975B | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | 杉浦毅 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H03K17/56 | 分类号: | H03K17/56 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明的目的在于改善多模式系统中形成在SOI基板上的高频开关的插入损耗特性。根据本发明的高频开关包括:至少一个第一端口(10)、至少一个第二端口(20)、共用端口(30)、第一串联开关(40)以及第二串联开关(50)。第一端口连接于时分复用系统,第二端口连接于频分复用系统,分别用于输入或输出高频信号。共用端口用于发送或接收通过第一端口或第二端口输入或输出的高频信号。第一串联开关至少具有一个第一场效应晶体管。第二串联开关至少具有一个第二场效应晶体管。 | ||
搜索关键词: | 高频 开关 | ||
【主权项】:
一种高频开关,其特征在于,包括:至少一个第一端口,连接于时分复用系统,用于输入或输出高频信号;至少一个第二端口,连接于频分复用系统,用于输入或输出高频信号;共用端口,用于发送或接收通过所述第一端口或所述第二端口输入或输出的高频信号;第一串联开关,具有多个第一场效应晶体管,根据施加到连接于所述多个第一场效应晶体管的栅极的多个第一栅极电阻的电压,允许所述高频信号在所述第一端口与所述共用端口之间传导或阻止所述高频信号在所述第一端口与所述共用端口之间传导;以及第二串联开关,具有多个第二场效应晶体管,根据施加到连接于所述多个第二场效应晶体管的栅极且电阻值大于所述多个第一栅极电阻的电阻值的多个第二栅极电阻的电压,允许所述高频信号在所述第二端口与所述共用端口之间传导或阻止所述高频信号在所述第二端口与所述共用端口之间传导,其中,所述多个第一栅极电阻具有彼此相同的电阻值,以及所述多个第二栅极电阻具有彼此相同的电阻值。
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