[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210018553.0 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102569372A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 楠茂;望月浩一;川上稔 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置具有半导体衬底（101）、绝缘膜（14b）、半导体元件（EL）和电阻元件（4t）。半导体衬底（101）具有第一槽部（T1）。绝缘膜（14b）覆盖第一槽部（T1）的内表面。半导体衬底（EL）具有电极（13）。电阻元件（4t）以成为针对流过电极（13）的电流的电阻的方式与电极（13）电连接，且经由绝缘膜（14b）设置在第一槽部（T1）中。由此，能够得到具有能够以高可靠性流过大电流的、平面积较小的电阻元件的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：半导体衬底；半导体元件，具有电极；绝缘膜，覆盖所述半导体衬底的至少一部分；至少一个二极管，设置在所述绝缘膜上，并且，与所述电极电连接成使其成为针对流过所述电极的电流的电阻。
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