[发明专利]具有限定的热流的集成器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210018663.7 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102610604A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | T·布伦施维勒;J·霍夫里奇特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/34;H01L21/82;H05K7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 邹姗姗 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了具有限定的热流的集成器件及其制造方法。本发明提供的一种集成器件(1)包括：在工作时发热的至少一个发热部件(3)；至少一个温度敏感部件(3)；被布置在所述至少一个发热部件(3)与所述至少一个温度敏感部件(3)之间的一个或多个中空绝缘区域(4)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 限定 热流 集成 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成器件(1)，该集成器件(1)包括：至少一个发热部件(3)，该至少一个发热部件在工作时发热；至少一个温度敏感部件(3)；一个或多个中空绝缘区域(4)，该一个或多个中空绝缘区域(4)被布置在所述至少一个发热部件(3)与所述至少一个温度敏感部件(3)之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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