[发明专利]一种疏松化聚酰亚胺红外吸收薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种疏松化聚酰亚胺红外吸收薄膜的制备方法。聚酰亚胺薄膜由光敏型聚酰亚胺树脂旋涂在基底表面，经亚胺化后获得；亚胺化使聚酰亚胺薄膜与基底形成良好粘附；采用光刻、显影工艺使聚酰亚胺在像元表面成型；疏松化通过腐蚀并去除混合在聚酰亚胺树脂中的铝粉末颗粒实现；采用氧等离子体刻蚀方法可控制聚酰亚胺的厚度，减轻热质量，同时保证铝粉末颗粒表面部分或完全露出，使铝粉末颗粒能完全去除。采用该方法制备的疏松化聚酰亚胺薄膜克服了黑金吸收薄膜机械强度差、不易图形化，热质量较高的缺点，相对于薄金属吸收薄膜也提高了红外吸收率，对非制冷探测器性能提高具有实际应用价值。

主权项

一种疏松化聚酰亚胺红外吸收薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)、将光敏型聚酰亚胺树脂与直径为3‑4微米的铝粉末搅拌混合，使铝粉末颗粒均匀分布于树脂中，形成树脂混合物，两者的质量混合比例为1：2；2)、在匀胶机上采用旋涂的方式使树脂混合物均匀涂布于硅基底表面，控制匀胶机旋转盘转速使树脂混合物厚度约5微米；涂布了树脂混合物的硅基底在热板上进行前烘，烘烤温度为120℃，烘烤时间为3分钟；3)、对涂布了树脂混合物的硅基底曝光，在非致冷探测器像元表面光刻出与像元同样大小的图形；对树脂混合物在正胶显影液中显影后，去除非像元处的树脂混合物，使其图形化；4)、将涂布有聚酰亚胺树脂的硅基底置于150℃烘箱中烘烤2小时，使聚酰亚胺树脂亚胺化，形成聚酰亚胺薄膜；5)、用氧等离子体去胶机对硅基底进行刻蚀，将聚酰亚胺薄膜厚底减薄到2微米，使被聚酰亚胺包覆的铝粉末颗粒全部或部分露出；6)、在室温下将硅基底浸泡于浓度为10％的四甲基氢氧化铵溶液中，湿法腐蚀铝粉末颗粒，直至铝粉末颗粒被完全腐蚀去除，用去离子水冲洗硅基底，将10％四甲基氢氧化铵残余溶液冲洗干净，将硅基底置于60℃烘箱中烘烤2小时，去除吸附的水份。