[发明专利]2．5D/3D集成电路系统的ESD保护有效
| 申请号： | 201210019492.X | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN103000625A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 陈佳惠;曾瑞村 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路结构，包括设置在中介层上的第一集成电路器件和第二集成电路器件。每个集成电路器件中都具有与内部ESD总线连接的静电放电(ESD)保护电路。第一和第二集成电路器件通过中介层相互通信。为了向集成电路器件提供交叉器件的ESD保护，该中介层包括与第一和第二集成电路器件的ESD总线电连接的ESD总线。本发明还提供了一种2.5D/3D集成电路系统的ESD保护。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 系统 esd 保护 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：第一集成电路器件和第二集成电路器件，设置在中介层上，每个集成电路器件中都具有与内部ESD总线相连接的静电放电(ESD)保护电路，所述中介层包括与所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件的所述ESD总线电连接的ESD总线，用于向所述集成电路器件提供交叉器件ESD保护。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
