[发明专利]低温气相还原的高导电石墨烯材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201210019931.7 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102583340A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 万冬云;黄富强;杨重寅;林天全 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题是提供一种低温气相还原的高导电石墨烯材料的制备方法。制备方法利用具有高温区和低温区的多温区加热设备，通过将具有氧化石墨烯的低温区和具有还原剂的高温区加热至一定的温度，还原出高导电石墨烯。本发明的高导电石墨烯材料的制备方法，在低温条件下，实现氧化石墨烯在较低的温度下快速、高效还原，低温气相反应保持了氧化石墨烯较完整的结构，从而制备出高导电的石墨烯粉或石墨烯纸和高透光、高导电的石墨烯薄膜。本发明制备的石墨烯材料导电性、力学强度和柔韧性良好，可有效地解决现有高温热处理或低温液相化学还原方法破坏石墨烯结构的瓶颈问题。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 还原 导电 石墨 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温气相还原的高导电石墨烯材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法利用具有高温区和低温区的多温区加热设备，通过将具有氧化石墨烯的低温区和具有还原剂的高温区加热至一定的温度，还原出高导电石墨烯。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210019931.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种鞋垫结构
- 下一篇：沼气发电与光伏发电互补向高原上养殖场供电的输电装置
