[发明专利]用于芯片级封装的电连接有效

专利信息
申请号: 201210020209.5 申请日: 2012-01-21
公开(公告)号: CN102810506A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 游明志;李福仁;林柏尧;郑嘉仁;游秀美 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京德恒律师事务所 11306 代理人: 陆鑫;房岭梅
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供了一种用于提供后钝化和凸块下金属化层的系统和方法。实施例包括大于上部凸块下金属化层的后钝化层。延伸超过凸块下金属化层的后钝化层保护了下层免受由材料的热膨胀系数不匹配而产生的应力的影响。本发明还提供了一种用于芯片级封装的电连接。
搜索关键词: 用于 芯片级 封装 连接
【主权项】:
一种半导体器件,包括:后钝化互连件,位于衬底上方,其中,所述后钝化互连件包括:接合焊盘区域,具有第一长度和第一宽度;以及互连区域,具有小于所述第一宽度的第二宽度;以及凸块下金属化层,位于所述后钝化互连件上方,所述凸块下金属化层具有与所述接合焊盘区域相接触的界面,所述界面具有小于所述第一宽度和所述第一长度的第二长度,所述凸块下金属化层具有小于所述第一宽度和所述第一长度的第三长度。
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