[发明专利]次载具、次载具组件和次载具装配方法有效

专利信息
申请号: 201210020425.X 申请日: 2012-01-29
公开(公告)号: CN102629732B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 渡边秀辉;幸田伦太郎;仓本大;长沼香;横山弘之 申请(专利权)人: 索尼公司;国立大学法人东北大学
主分类号: H01S5/02 分类号: H01S5/02;H01S5/024
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 代理人: 余刚,吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请提供了一种具有阻止制造成本的增加与成品率和可靠性的减小的结构和构造并包括倾斜波导的次载具、次载具组件和次载具装配方法。具有第一表面并允许包括波导的半导体发光元件固定在第一表面上的次载具,波导具有相对于半导体发光元件的光入射/出射端面的法线倾斜θWG(度)的轴线,并由具有折射率nLE的半导体材料制成,次载具包括第一表面上的熔接材料层;以及形成于熔接材料层中的对准标记,允许以角度θSM=sin‑1[nLE·sin(θWG)/n0]识别对准标记,其中,半导体发光元件的光入射/出射端面的外部附近的透光介质的折射率是n0。
搜索关键词: 次载具 组件 装配 方法
【主权项】:
一种次载具,具有第一表面并允许包括波导的半导体发光元件固定在第一表面上,所述波导具有相对于所述半导体发光元件的光入射/出射端面的法线倾斜θWG度的轴线,并由具有折射率nLE的半导体材料制成,所述次载具包括:所述第一表面上的熔接材料层;以及形成于所述熔接材料层中的对准标记,允许以角度θSM=sin‑1[nLE·sin(θWG)/n0]识别所述对准标记,其中,所述半导体发光元件的光入射/出射端面的外部附近的透光介质的折射率是n0,其中,所述熔接材料层具有从所述第一表面一侧按顺序包括Au层和Au‑Sn合金层的层压结构,所述对准标记由形成于Au‑Sn合金层中的开口构成,并且在所述开口的底部暴露Au层。
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