[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201210020891.8 | 申请日： | 2012-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102810557A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 金相宪 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L27/108;H01L21/28;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件和制造半导体器件的方法。在该制造半导体器件的方法中，改进了电容器的结构，以保证电容器的电容量，并且减小了电容器的高度，以防止产生电容器倾斜或桥接不良的缺陷，从而简化了半导体器件的制造工艺，以便能够更加稳定地制造半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一存储节点触点插塞，其设置在半导体基板上方的触点孔中；第二存储节点触点插塞，其为接垫型，形成在所述第一存储节点触点插塞上；第三存储节点触点插塞，其为杆型，形成在所述第二存储节点触点插塞上；以及下电极，其为杆型，形成在所述第三存储节点触点插塞上。
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