[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本公开涉及半导体器件及其制造方法。在基于SiC的MISFET及其制造工艺中，在引入杂质之后，需要极高温度的激活退火。因此，难以频繁使用在基于硅的MISFET的制造工艺中所执行的自对准工艺。这导致了以下问题：要控制器件的特性，高精度的对准技术是不可缺少的。根据本发明，在诸如使用基于碳化硅的半导体基板的基于SiC的垂直功率MISFET之类的半导体器件及其制造方法中，沟道区、源区和栅极结构以相互自对准的关系形成。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)制备半导体晶片，所述半导体晶片在具有第一导电类型的基于碳化硅的半导体基板的第一主表面内具有第一基于碳化硅的半导体层，所述第一基于碳化硅的半导体层的导电类型与所述第一导电类型相同且浓度低于所述半导体基板的浓度；(b)将第二导电类型区域引入所述第一基于碳化硅的半导体层较接近于所述第一主表面的表面区域内，所述第二导电类型区域具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型并用作垂直功率MISFET的沟道区；(c)以与所述第二导电类型区域成自对准关系的方式引入所述垂直功率MISFET的源区，所述源区具有与所述第一导电类型相同的导电类型以及比所述第一基于碳化硅的半导体层的浓度高的浓度；以及(d)以与所述源区成自对准关系的方式形成所述垂直功率MISFET的栅极结构。