[发明专利]基于Nandflash的双端口存储器电路有效
| 申请号： | 201210021220.3 | 申请日： | 2012-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103226529B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 迟志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F13/28 | 分类号： | G06F13/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于Nandflash的双端口存储器电路，包括第一端口指令队列模块，第二端口指令队列模块，第一端口DMA控制器，第二端口DMA控制器、Nandflash存储阵列；指令执行控制逻辑模块，用于对所述第一端口指令队列模块和第二端口指令队列模块的操作进行仲裁和控制，对第一端口DMA控制器和第二端口DMA控制器的操作进行仲裁和控制；Nandflash接口控制器，用于控制和Nandflash存储阵列之间的数据传输，并对所述指令执行控制逻辑模块的控制逻辑进行控制。本发明通过对Nandflash接口的时分复用，使Nandflash存储器具有了两个端口。存储系统可以同时对两个端口进行读写操作，拓展了Nandflash存储器的适用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 nandflash 端口 存储器 电路 | ||
【主权项】：
一种基于与非型闪存Nandflash的双端口存储器电路，其特征在于，包括：第一端口指令队列模块，用于存放第一端口控制逻辑模块发送的对与非型闪存Nandflash存储阵列模块的操作指令，并保存指令的执行状态；第二端口指令队列模块，用于存放第二端口控制逻辑模块发送的对与非型闪存Nandflash存储阵列模块的操作指令，并保存指令的执行状态；第一端口直接寄存器访问DMA控制器，用于控制第一端口数据缓存区和与非型闪存Nandflash存储阵列模块之间的数据传输；第二端口直接寄存器访问DMA控制器，用于控制第二端口数据缓存区和与非型闪存Nandflash存储阵列模块之间的数据传输；指令执行控制逻辑模块，用于对所述第一端口指令队列模块和第二端口指令队列模块的操作进行仲裁和控制；对第一端口直接寄存器访问DMA控制器和第二端口直接寄存器访问DMA控制器的操作进行仲裁和控制；与非型闪存Nandflash接口控制器，用于控制和所述与非型闪存Nandflash存储阵列模块之间的数据传输，并对所述指令执行控制逻辑模块的控制逻辑进行控制；所述与非型闪存Nandflash存储阵列模块，由多片与非型闪存Nandflash构成，共享同一数据总线，用于存放数据。
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