[发明专利]具有节省空间的边缘结构的半导体部件有效
申请号: | 201210021553.6 | 申请日: | 2012-01-31 |
公开(公告)号: | CN103165604B | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | O.布兰克;C.盖斯勒;F.希尔勒;M.勒施;R.西米尼克 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马永利;卢江 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了具有节省空间的边缘结构的半导体部件。半导体部件被公开。一个实施例包括半导体本体,该半导体本体包括具有至少一个有源部件区的第一半导体层、具有多个沟槽的单元阵列、以及至少一个单元阵列边缘区。单元阵列边缘区被仅仅布置在单元阵列的边缘区域中,毗邻单元阵列的至少一个沟槽,以及被至少部分地布置在单元阵列中的至少一个沟槽下面。 | ||
搜索关键词: | 具有 节省 空间 边缘 结构 半导体 部件 | ||
【主权项】:
半导体部件,包括:半导体本体,其包括第一侧和第二侧、以及具有第一传导类型的基本掺杂的第一半导体层,其中所述半导体本体包括内部区域和边缘区域;所述边缘区域中的边缘结构,其中所述边缘结构包括从第一侧延伸到所述半导体本体中的至少一个边缘沟槽;第一半导体层中与第一传导类型互补的第二传导类型的至少一个有源部件区;所述内部区域中的具有多个沟槽的单元阵列,每个沟槽包括场电极和场电极电介质;第二传导类型的至少一个单元阵列边缘区,所述单元阵列边缘区在所述单元阵列中被仅仅布置在所述单元阵列的边缘区域中,毗邻所述单元阵列的至少一个沟槽,以及被至少部分地布置在所述单元阵列中的所述至少一个沟槽下面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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