[发明专利]固态成像装置、其制造方法及电子设备有效
申请号: | 201210022098.1 | 申请日: | 2012-02-01 |
公开(公告)号: | CN102629616A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 林利彦 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种固态成像装置、其制造方法及电子设备。该固态成像装置,包括:层叠的半导体芯片,构造为通过将两个或更多个半导体芯片部分彼此接合获得,并且是通过至少将其中形成有像素阵列和多层配线层的第一半导体芯片部分和其中形成逻辑电路和多层配线层的第二半导体芯片部分彼此接合而获得,并且该多层配线层彼此相对且彼此电连接;以及遮光层,在该第一和第二半导体芯片部分之间的连接处附近,构造为由与该第一和第二半导体芯片部分之一或二者的连接互连线相同层的导电膜形成。该固态成像装置是背面照明固态成像装置。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
一种固态成像装置,包括:层叠的半导体芯片,构造为通过将两个或更多个半导体芯片部分彼此接合而获得,且是通过至少将其中形成有像素阵列和多层配线层的第一半导体芯片部分和其中形成有逻辑电路和多层配线层的第二半导体芯片部分彼此接合而获得,并且该多层配线层彼此相对且彼此电连接;以及遮光层,在该第一半导体芯片部分和该第二半导体芯片部分之间的接合附近,构造为由与该第一半导体芯片部分和该第二半导体芯片部分之一或二者的连接互连线的层相同层的导电膜形成,其中该固态成像装置构造为背面照明固态成像装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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