[发明专利]用于半导体元件的宽沟渠终端结构有效
| 申请号： | 201210022142.9 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102629623A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 陈美玲;郭鸿鑫;赵国梁 | 申请（专利权）人： | 英属维京群岛商节能元件股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;常大军 |
| 地址： | 中国台湾新北市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于半导体元件的宽沟渠终端结构，该半导体元件包含一半导体基板及一主动结构区，该主动结构区具有多个窄沟渠结构，该宽沟渠终端结构包含：一宽沟渠结构，界定于一半导体基板上且其宽度大于主动结构区的窄沟渠结构宽度；一氧化层，位于该宽沟渠结构的内表面上；至少一沟渠多晶硅层，位于该氧化层上且在该宽沟渠结构的内侧壁上；一金属层，位在未被该沟渠多晶硅层覆盖的氧化层上及该沟渠多晶硅层上；及一氧化层侧壁，位在该半导体基板上且在该宽沟渠结构外侧。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 元件 沟渠 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种用于半导体元件的宽沟渠终端结构，该半导体元件包含一半导体基板及一主动结构区，该主动结构区具有多个窄沟渠结构，其特征在于，该宽沟渠终端结构包含：一宽沟渠结构，界定于该半导体基板上且其宽度大于主动结构区的该窄沟渠结构宽度；一氧化层，位于该宽沟渠结构的内表面上；至少一沟渠多晶硅层，位于该氧化层上且在该宽沟渠结构的内侧壁上；一金属层，位于未被该沟渠多晶硅层覆盖的氧化层上及该沟渠多晶硅层上；及一氧化层侧壁，位于该半导体基板上且在该宽沟渠结构外侧。
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