[发明专利]邻接沟道侧壁的三维存储阵列及其制造方法

摘要

本发明公开了一种邻接沟道侧壁的三维存储阵列及其制造方法。存储单元阵列包含一由多个存储单元构成的叠层，该多个存储单元以邻接于在沟道内形成的导线所具有的相对二侧面的方式布置。存储单元的叠层使得各存储单元的存储元件表面成为沟道侧壁的一部分。导线形成于沟道内，而建立跨越各存储单元的存储元件表面的电性接触。制造上述结构的方法是通过一不须使用任何额外掩模的自对准工艺。

主权项

一种集成电路装置，包括：一导线，具有一第一侧面及一第二侧面；多个层，该多个层各由布置于邻接该导线的该第一侧面与该第二侧面的多个导电垫所构成，该多个导电垫各具有一邻近侧面，该多个邻近侧面是邻近于该多个导电垫对应的该第一侧面与该第二侧面的其中一个；多个金属氧化物存储元件，位于该多个邻近侧面上，并与该多个导电垫对应的该第一侧面与该第二侧面的其中一个有电性交流；以及一垂直连接件阵列，由多个垂直连接件所构成，该多个垂直连接件是分别与该多个导电垫以及一上方电路有电性交流。