[发明专利]存储装置和存储装置的操作方法无效
| 申请号： | 201210022355.1 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102629486A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 本田元就 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C11/56;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储装置及其操作方法。所述存储装置包括存储元件和驱动部，在用于将所述存储元件的电阻状态从一个电阻状态变为另一个电阻状态的第一操作与用于将所述存储元件的电阻状态从所述另一个电阻状态变为所述一个电阻状态的第二操作中，在执行所述第一操作中，所述驱动部进行步进操作，在所述步进操作中，所述驱动部反复进行至少一次如下步骤：进行强加载步骤并随后进行弱加载步骤，所述强加载步骤用来施加用于对所述存储元件相对强地进行所述第一操作的加载，所述弱加载步骤用来施加用于对所述存储元件相对弱地进行所述第二操作的加载，并且接着进行所述强加载步骤。根据本发明，能够改善存储装置的长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储装置，所述存储装置包括：多个存储元件，所述多个存储元件的电阻状态根据施加电压的极性而发生反转变化；以及驱动部，所述驱动部选择性地将作为驱动对象的存储元件的电阻状态从低电阻状态变为高电阻状态或从所述高电阻状态变为所述低电阻状态，其中，在用于将所述存储元件的电阻状态从所述低电阻状态和所述高电阻状态中的一个电阻状态变为另一个电阻状态的第一操作与用于将所述存储元件的电阻状态从所述另一个电阻状态变为所述一个电阻状态的第二操作中，在执行所述第一操作中，所述驱动部进行步进操作，在所述步进操作中，所述驱动部反复进行至少一次如下步骤：进行强加载步骤并随后进行弱加载步骤，所述强加载步骤用来施加用于对作为所述驱动对象的所述存储元件相对强地进行所述第一操作的加载，所述弱加载步骤用来施加用于对作为所述驱动对象的所述存储元件相对弱地进行所述第二操作的加载，并且所述驱动部在完成所述反复进行至少一次的步骤之后，接着进行所述强加载步骤。
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