[发明专利]一种高光效白光LED倒装芯片的制作方法

摘要

本发明涉及一种高光效白光LED倒装芯片的制作方法，其层结构依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、发光区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）、光穿透层（9）、二氧化硅层（10）、金属层（11），在衬底（1）表面涂敷一层纳米荧光粉层（28），其特征在于：该芯片蚀刻成梯台结构并形成环状N型电极和柱形P型电极，柱形P型电极被环状N型电极包围，所述环状N型电极和所述柱形P型电极与PCB板连接的焊锡面处于同一水平面高度。本发明由于在衬底上通过附着孔附着一层环形纳米荧光粉层，该纳米荧光粉层与普通的荧光粉相比，可以使得芯片发出的白光更加明亮可靠。

主权项

一种高光效白光LED倒装芯片的制作方法，该制作方法中涉及的未制作前芯片的层结构从下至上依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、发光区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）、光穿透层（9）、二氧化硅层（10）以及金属层（11），该制作方法包括以下步骤：步骤1、将LED倒装芯片蚀刻成梯台结构，并暴露环形N型层（3）用于后续步骤中形成N型电极；步骤2、在梯台结构上蚀刻出环形N型电极形成区和柱形P型电极形成区；步骤3、为了实现N型电极与倒装芯片各层之间的导电隔离，在梯台结构外壁上形成绝缘介质膜（16）；步骤4、在柱形P型电极形成区上形成P型电极光穿透层ITO薄膜（192），在P型电极光穿透层ITO薄膜（192）上设置P型电极金属合金层（24）最终形成P型电极；在环形N型电极形成区形成区上形成N型电极光穿透层ITO薄膜（191），所述N型电极光穿透层ITO薄膜（191）为阶梯结构，阶梯结构下部与倒装芯片的N型层（3）暴露区连接；阶梯结构上部铺设在金属层（11）和梯台结构外壁的绝缘介质膜（16）上，阶梯结构中部通过梯台结构外壁上形成绝缘介质膜（16）与P型电极隔离，在N型电极光穿透层ITO薄膜（191）阶梯结构上部设置N型电极金属合金层（23）并最终形成N型电极；步骤5、在衬底（1）表面形成纳米荧光粉层（28）。