[发明专利]CMOS图像传感器及CMOS图像传感电路系统有效
申请号: | 201210022554.2 | 申请日: | 2012-02-01 |
公开(公告)号: | CN102544044A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 苗田乐;方娜;陈杰;汪辉;田犁 | 申请(专利权)人: | 上海中科高等研究院 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种CMOS图像传感器及CMOS图像传感电路系统。其中,CMOS图像传感器包括:分别用于基于所感测的光信号来产生相应电荷的第一光电区及第二光电区;用于收集来自第一光电区或第二光电区的电荷的浮置扩散区;用于存储第一光电区所产生的电荷的存储区;用于使浮置扩散区复位的复位晶体管区;用于接入第一控制信号以便使第一光电区的电荷运动至存储区的第一电极;用于接入第二控制信号以便使第二光电区的电荷运动至浮置扩散区的第二电极;以及用于接入第三控制信号以便使第一光电区的电荷运动至浮置扩散区的第三电极。本发明的优点包括:具有高的动态范围及光敏感性。 | ||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 图像 传感 电路 系统 | ||
【主权项】:
一种CMOS图像传感器,其特征在于,所述CMOS图像传感器至少包括:形成于半导体衬底的第一光电区及第二光电区,分别用于基于所感测的光信号来产生相应电荷;形成于所述半导体衬底的浮置扩散区,用于收集来自所述第一光电区或第二光电区的电荷;形成于所述半导体衬底的存储区,用于存储所述第一光电区所产生的电荷;形成于所述半导体衬底的复位晶体管区,其包含栅电极,用于基于所接入的复位信号使所述浮置扩散区复位;连接所述第一光电区与存储区的第一电极,用于接入第一控制信号,以便所述第一光电区的电荷基于第一控制信号运动至所述存储区;连接所述第二光电区及浮置扩散区的第二电极,用于接入第二控制信号,以便所述第二光电区的电荷基于第二控制信号运动至所述浮置扩散区;以及连接所述存储区与浮置扩散区的第三电极,用于接入第三控制信号,以便使所述第一光电区的电荷基于第三控制信号运动至所述浮置扩散区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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