[发明专利]一种阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201210022961.3 | 申请日： | 2012-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN102646683A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 李延钊;王刚;黄国东;田香军 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，所述阵列基板包括：衬底板和分别位于衬底板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为增强型，第二薄膜晶体管为耗尽型。由于阵列基板同时具有增强型的第一薄膜晶体管和耗尽型的第二薄膜晶体管，将这两种类型的薄膜晶体管分别设计于阵列基板的设定位置，发挥其功能特性，对比于现有技术阵列基板的单一耗尽型薄膜晶体管或单一增强型薄膜晶体管，可减少薄膜晶体管设置数量，简化电路走线，使整个阵列基板的结构大为简化，结构稳定性大大提高，阵列基板有效像素面积也得以进一步增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底板和分别位于衬底板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，第一薄膜晶体管为增强型，第二薄膜晶体管为耗尽型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210022961.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
