[发明专利]基于铌酸锂光子线的光极化分裂器无效
| 申请号： | 201210023243.8 | 申请日： | 2012-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN102540332A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈明;席洁;弟寅;陈乐建;董军 | 申请（专利权）人： | 西安邮电学院 |
| 主分类号： | G02B6/125 | 分类号： | G02B6/125;G02B6/13;G02B6/28 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 李郑建 |
| 地址： | 71002*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铌酸锂光子线的极化分裂器，由铌酸锂基底、二氧化硅覆层和两条平行的铌酸锂光波导组成，其中，两条平行的铌酸锂光波导的高度均为0.73μm，波导的顶部宽度均为0.5μm；构成该极化分裂器的两条平行的光波导的轴间距Sc＝0.74μm，耦合长度Lc＝49.28μm。适合于该极化分裂器的波导参数是：工作波长为1.55μm；LN波导的折射率nLN＝2.2；SiO2区域的折射率nSiO2＝1.44；可被用于基于铌酸锂光子线的高集成度光路。利用OptiFDTD商用软件仿真了该极化分裂器的电场和磁场分布图。该光定向耦合器不仅具有在工作波长上透射率高的优点，而且具有超紧凑结构。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铌酸锂 光子 极化 分裂 | ||
【主权项】：
一种基于LN光子线的光极化分裂器，其特征在于，由铌酸锂基底、二氧化硅覆层和两条平行的铌酸锂光波导组成，其中，两条平行的铌酸锂光波导的高度均为0.73μm，波导的顶部宽度均为0.5μm；构成该极化分裂器的两条平行的光波导的轴间距Sc＝0.74μm，耦合长度Lc＝49.28μm。
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