[发明专利]一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法有效
| 申请号： | 201210024702.4 | 申请日： | 2012-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN102583386A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 罗学涛;余德钦;林彦旭;方明;卢成浩;李锦堂 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及工业硅的提纯方法。将工业硅加入石墨坩埚中；启动中频感应电源加热，按功率增加依次添加造渣剂到石墨坩埚中；待物料熔化后，维持功率不变，反应温度控制在1600～1800℃，使硅液和造渣剂混合反应；造渣充分后，降低中频频率，将渣系倒入应接水箱中，水冷后硅与渣基本分离，取样经等离子电感耦合质谱仪分析测量硅中B，P杂质含量。采用掺杂氯化物作为造渣剂的组分，使得渣硅更容易分离，同时对硅中杂质B、P有非常明显的去除效果，造渣完成后结合定向凝固和酸洗等工艺，可得到太阳能级多晶硅。整个工艺流程简单快捷，安全性能好，非常适用于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氯化物 去除 工业 硅中硼磷 杂质 方法 | ||
【主权项】：
一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法，其特征在于包括以下步骤：1)配好造渣剂；2)将工业硅加入石墨坩埚中；3)启动中频感应电源加热，均匀增加功率，按功率增加依次添加造渣剂到石墨坩埚中；4)待物料熔化后，维持功率不变，反应温度控制在1600～1800℃，同时搅拌使硅液和造渣剂混合反应；5)造渣充分后，降低中频频率，将渣系倒入应接水箱中，水冷后硅与渣分离。
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