[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210024752.2 | 申请日： | 2012-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN103247676B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底；形成于所述衬底中的深阱以及形成于所述深阱上的浅阱，所述深阱和浅阱的掺杂类型相反；刻蚀所述浅阱和部分厚度的深阱形成的凹槽；形成于所述浅阱中的漏极；形成于所述凹槽中且位于所述漏极两侧的栅极；形成于所述栅极下方的深阱中的源极，所述漏极和源极的掺杂类型与所述浅阱的掺杂类型相同，且所述漏极和源极的掺杂浓度大于所述浅阱的掺杂浓度。本发明提供的一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管可以降低开态电阻，提高开态电流，从而有效提高器件的驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：衬底；形成于所述衬底中的深阱以及形成于所述深阱上并与所述深阱相接触的浅阱，所述深阱和浅阱的掺杂类型相反；刻蚀所述浅阱和部分厚度的深阱形成的凹槽；形成于所述浅阱中的漏极；形成于所述凹槽中且位于所述漏极两侧的栅极；形成于所述栅极下方的深阱中的源极，所述漏极和源极的掺杂类型与所述浅阱的掺杂类型相同，且所述漏极和源极的掺杂浓度大于所述浅阱的掺杂浓度。
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