[发明专利]应力匹配的双材料微悬臂梁的制造方法有效
| 申请号： | 201210024934.X | 申请日： | 2012-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN103241706A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 尚海平;焦斌斌;刘瑞文;陈大鹏;李志刚;卢迪克 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;C23C16/40;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应力匹配的双材料微悬臂梁的制造方法，包括：在衬底上采用LPCVD沉积应力为F1的压应力SiO2膜，F1＜0；对压应力SiO2膜注入掺杂剂，在其表面形成重掺杂SiO2膜退火使得压应力SiO2膜转变为应力为F2的张应力SiO2膜，F2＞0；控制淀积温度，在重掺杂SiO2膜上方形成具有应力为F3的Al薄膜，其中F3＝F2。依照本发明的应力匹配的双材料微悬臂梁的制造方法，其工艺简单、与传统微细加工工艺兼容，不但实现双材料悬臂梁的应力完全匹配，而且明显增强SiO2的抗XeF2腐蚀能力，最终使采用Al和SiO2双材料的、应力完全匹配的悬臂梁制作成功实现。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 匹配 材料 悬臂梁 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种应力匹配的双材料微悬臂梁的制造方法，包括：在衬底上采用LPCVD沉积应力为F1的压应力SiO2膜，F1＜0；对压应力SiO2膜注入掺杂剂，在其表面形成重掺杂SiO2膜；退火使得压应力SiO2膜转变为应力为F2的张应力SiO2膜，F2＞0；控制淀积温度，在重掺杂SiO2膜上方形成具有应力为F3的Al薄膜，其中F3＝F2。
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