[发明专利]隧穿二极管整流器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210026070.5 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103247696A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 刘明;谢宏伟;龙世兵;吕杭炳;刘琦;李颖弢;谢长青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L29/43;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子器件与存储器技术领域，公开了一种用于双极性阻变存储器的隧穿二极管整流器件及其制造方法，该隧穿二极管整流器件包括：下电极；下电极之上的整流功能层；上电极。本发明的整流器件能够提供较高的电流密度，与阻变存储器串联后形成的1S1R结构能有效抑制阻变存储器阵列中的串扰现象，在不增加存储单元面积的情况下，有效提高存储密度，提高器件的集成度。本发明的用于阻变存储器的整流器件具有结构简单，易集成，成本低等优点，有利于本发明的广泛推广与应用。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 整流 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于双极性阻变存储器的隧穿二极管整流器件，其特征在于，包括：下电极；形成于该下电极之上的整流功能层薄膜；以及形成于该整流功能层薄膜之上的上电极。
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