[发明专利]半导体器件的应变结构有效
| 申请号： | 201210026834.0 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103107195A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 吴政宪;柯志欣;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的应变结构。半导体器件的示例性结构包括具有主表面的衬底；在衬底的主表面上的栅极堆叠件；设置在栅极堆叠件一侧的浅沟槽隔离件(STI)；以及被应变结构填充的腔，该腔分布在栅极堆叠件和STI之间，其中腔包括一个由STI形成的侧壁，一个由衬底形成的侧壁和由衬底形成的底面，其中应变结构包括SiGe层和与STI的侧壁邻接的第一应变膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 应变 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括主表面；位于所述衬底的所述主表面上的栅极堆叠件；设置在所述栅极堆叠件一侧的浅沟槽隔离件(STI)，其中所述STI在所述衬底中；以及被应变结构填充的腔，所述腔分布在所述栅极堆叠件和所述STI之间，其中所述腔包括一个由所述STI形成的侧壁，一个由所述衬底形成的侧壁和由所述衬底形成的底面，其中，所述应变结构包括SiGe层和与所述STI的侧壁邻接的第一应变膜。
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