[发明专利]形成砷化镓基光伏器件的方法和砷化镓基光伏器件

摘要

本发明的实施方案通常涉及光伏器件。在一个实施方案中，形成砷化镓基光伏器件的方法包括提供半导体结构，所述结构包括包含砷化镓的吸收层。提供在半导体结构的p‑n接面中的旁路功能，其中在反向偏压条件下p‑n接面以受控方式通过齐纳击穿效应击穿。

主权项

一种形成砷化镓基光伏器件的方法，该方法包括：提供半导体结构，所述结构包括包含砷化镓的基层，其中所述基层具有4x1017cm‑3或更高的掺杂浓度；提供射极层，其中所述射极层具有4x1017cm‑3或更高的掺杂浓度，并且具有与所述基层相反的掺杂类型；并且提供中间层，其中所述中间层形成在所述基层和所述射极层之间；并且其中所述中间层的掺杂浓度低于所述基层，从而在所述半导体结构中在所述基层和所述射极层之间形成p‑n接面，所述p‑n接面提供对所述p‑n接面来说固有的旁路功能，其中在反向偏压条件下，所述p‑n接面通过齐纳击穿效应击穿。