[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件，包括：自旋矩写入的平面内磁化磁阻元件，置于半导体衬底的主表面之上，其磁化状态能够根据电流流动方向变化；以及第一布线，与磁阻元件电耦接并且朝向沿主表面的方向延伸。如平面中所见的磁阻元件的宽长比是不同于1的值。在布置有其中磁阻元件和开关元件彼此电耦接的多个存储器单元的存储器单元区域中，采取如下措施：在如平面中所见的每个磁阻元件的长度方向上彼此邻接的多个磁阻元件被布置为使得它们未被置于沿长度方向延伸的相同直线上。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有主表面；开关元件，包括源极区和漏极区，置于所述半导体衬底的所述主表面之上；平板状引出布线，置于所述开关元件上方；自旋矩写入的平面内磁化磁阻元件，设置在所述引出布线上方，其磁化状态能够根据电流流动方向而变化；以及第一布线，与所述磁阻元件电耦接并且朝向沿所述主表面的方向延伸，其中所述磁阻元件的如平面中所见的宽长比是不同于1的值，以及其中在布置有其中所述磁阻元件和所述开关元件彼此电耦接的多个存储器单元的存储器单元区域中，在第一方向上或者如平面中所见的在所述磁阻元件的长度方向上彼此邻接的多个磁阻元件被布置为使得所述磁阻元件未处于沿所述第一方向延伸的相同直线上。