[发明专利]薄膜太阳能电池无效
| 申请号： | 201210028190.9 | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN103187460A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 彭振维;黄昭雄;曹耀中 | 申请（专利权）人： | 联相光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0376 | 分类号： | H01L31/0376;H01L31/075 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜太阳能电池，其包含电极层及半导体层。半导体层包含P型层、I型层及N型层。P型层位于电极层上。I型层包含I型非晶硅层及I型短程有序非晶硅层，I型非晶硅层位于P型层上，I型短程有序非晶硅层位于I型非晶硅层上。N型层位于I型短程有序非晶硅层上。藉由I型短程有序非晶硅层产生结晶绕射现象，降低光裂化反应，以提升薄膜太阳能电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳能电池，其特征在于，包含：一电极层；以及一半导体层，其包含：一P型层，位于所述电极层上；一I型层，包含一I型非晶硅层以及一I型短程有序非晶硅层，所述I型非晶硅层位于所述P型层上，所述I型短程有序非晶硅层位于所述I型非晶硅层上；及一N型层，位于所述I型短程有序非晶硅层上；其中，所述I型非晶硅层占所述I型层的厚度比例大于所述I型短程有序非晶硅层所占的比例。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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