[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210028258.3 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102543948A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 李德章;陈纪翰;陈建桦;周泽川;杨秉丰;施旭强 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括基板及电容结构。电容结构包括第一导电层、第二导电层及介电层。第一导电层形成于基板上。第二导电层具有一侧面。介电层形成于第一导电层与第二导电层之间，且具有一侧面，介电层的侧面与第二导电层的侧面间隔一距离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一基板；以及一电容结构，包括：一第一导电层，形成于该基板上；一第二导电层，具有一侧面；及一介电层，形成于该第一导电层与该第二导电层之间，且具有一侧面，该介电层的该侧面与该第二导电层的该侧面间隔一距离。
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