[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210028827.4 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102637795A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 中村亮 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法，所述第III族氮化物半导体发光器件表现出改进的发射性能和高的静电击穿电压。所述第III族氮化物半导体发光器件具有层状结构，在所述层状结构中，在蓝宝石衬底上沉积n型接触层、ESD层、n型包覆层、发光层、p型包覆层和p型接触层。ESD层具有凹坑。形成n型包覆层和发光层但不掩埋所述凹坑。所述凹坑在n型包覆层与发光层之间的界面处具有110nm至150nm的直径。发光层的势垒层由具有3％至7％的Al组成比的AlGaN形成。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种第III族氮化物半导体发光器件，包括依次沉积的n型层、发光层和p型层，所述n型层具有凹坑，其中所述凹坑的直径在所述发光层与所述n型层之间的界面处为110nm至150nm；所述发光层具有MQW结构，在所述MQW结构中AlGaN势垒层和InGaN阱层交替地沉积。
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