[发明专利]一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的方法及其装置有效
| 申请号： | 201210029188.3 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102560645A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 武鹏;胡亚兰;郑玉芹;徐岩 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的方法，包括如下步骤：加热熔融，将含有掺杂剂的硅料在氩气保护下熔化为硅熔体；定向凝固，将硅熔体结晶生成晶体硅最终形成硅锭；掺杂补偿，在定向凝固过程中，向剩余的硅熔体中掺入掺杂补偿剂以使最终形成的硅锭至少在晶体高度的90％的部分的电阻率处于1.0～3.0Ω·cm的范围内。另外，提供了一种适用于该方法的装置，能够在晶体硅形成过程中控制电阻率。该在晶体硅形成过程中控制电阻率的方法与适用于该方法的装置可将制备的90％的晶体硅硅锭的电阻率控制在1.0～3.0Ω·cm的范围内，有利于增加硅料的利用率，从而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 形成 过程 控制 电阻率 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种在晶体硅形成过程中控制电阻率的方法，其特征在于，包括如下步骤：将含有掺杂剂的硅料熔化为硅熔体；定向凝固，将所述硅熔体结晶生成晶体硅；掺杂补偿，在所述定向凝固过程中，向剩余的硅熔体中掺入掺杂补偿剂以使最终形成的硅锭至少在晶体高度的90％的部分的电阻率处于1.0～3.0Ω·cm的范围内，所述掺杂补偿剂与所述掺杂剂的导电类型相反。
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