[发明专利]半导体器件和形成用于3DFO‑WLCSP的垂直互连结构的方法

摘要

本发明涉及半导体器件和形成用于3D FO‑WLCSP的垂直互连结构的方法。一种半导体器件具有临时载体。半导体管芯以有源表面面向临时载体并被安装到临时载体。沉积具有在临时载体上的第一表面和与第一表面相对的第二表面的密封剂，并且所述密封剂被沉积在半导体管芯的背面上。临时载体被除去。在半导体管芯的外围中的密封剂的一部分被除去以在密封剂的第一表面中形成开口。互连结构形成在半导体管芯的有源表面上并且延伸到密封剂层中的开口中。形成通路，并且该通路从密封剂的第二表面延伸到开口。第一凸块形成在通路中并且电连接到互连结构。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体管芯；在半导体管芯的外围周围沉积密封剂；在密封剂的远离半导体管芯的第一表面中形成第一开口；在密封剂上形成导电层，所述导电层延伸到密封剂中的第一开口中；从与第一表面相对的密封剂的第二表面形成第二开口，所述第二开口垂直地延伸穿过密封剂至密封剂的第一开口内的所述导电层；以及在密封剂中的第二开口中形成凸块，以接触第一开口内的导电层。