[发明专利]薄膜晶体管阵列基板

摘要

提供一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括基板、多个多晶硅岛以及多个栅极。基板具有显示区、栅极驱动区以及源极驱动区。多晶硅岛配置于基板上，且各多晶硅岛具有源极区、漏极区以及位于源极区与漏极区之间的沟道区，多晶硅岛包括多个第一多晶硅岛以及多个第二多晶硅岛，其中第一多晶硅岛配置于显示区以及栅极驱动区内，第一多晶硅岛具有主晶界以及次晶界，且第一多晶硅岛的主晶界仅位于源极区及/或漏极区内。第二多晶硅岛配置于源极驱动区内，且第一多晶硅岛中的晶粒尺寸不同于第二多晶硅膜中的晶粒尺寸。栅极配置于基板上，且对应于沟道区。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：一基板，具有一显示区、一栅极驱动区以及一源极驱动区；多个多晶硅岛，配置于所述基板上，且各所述多晶硅岛具有一源极区、一漏极区以及一位于所述源极区与所述漏极区之间的沟道区，所述这些多晶硅岛包括：多个第一多晶硅岛，配置于所述显示区以及所述栅极驱动区内，所述这些第一多晶硅岛具有一主晶界以及一次晶界，所述这些第一多晶硅岛的主晶界仅位于所述这些源极区及/或所述这些漏极区内；多个第二多晶硅岛，配置于所述源极驱动区内，且所述第一多晶硅岛中的晶粒尺寸不同于所述第二多晶硅膜中的晶粒尺寸；以及多个栅极，配置于所述基板上，且对应于所述这些沟道区。