[发明专利]降低凹槽侧壁上的条痕的方法无效
| 申请号： | 201210030084.4 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102810472A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 李秀春;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/3105;G03F1/72 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种降低凹槽侧壁上的条痕的方法，包含首先提供一衬底，一光阻层覆盖衬底，然后图案化前述光阻层以形成一图案化光阻层，进行一修补工艺，修补工艺包含以修补气体对图案化光阻层进行处理，修补气体包含CF4、HBr、O2或He，在修补工艺之后，利用图案化光阻层为掩膜，蚀刻衬底，最后移除图案化光阻层。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 凹槽 侧壁 条痕 方法 | ||
【主权项】：
一种降低凹槽侧壁上的条痕的方法，其特征在于，包含：提供一衬底，一光阻层覆盖所述衬底；图案化所述光阻层以形成一图案化光阻层；进行一修补工艺，所述修补工艺包含以修补气体对所述图案化光阻层进行处理，所述修补气体包含CF4、HBr、O2或He；以及在所述修补工艺之后，利用所述图案化光阻层为掩膜，蚀刻所述衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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