[发明专利]热处理装置及热处理方法有效
申请号: | 201210030625.3 | 申请日: | 2012-02-10 |
公开(公告)号: | CN102637618A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 似鸟弘弥 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F26B21/00;F26B21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供热处理装置及热处理方法。在从前表面朝向与该前表面相对的后表面的气流形成用的排气口地形成有横向的气流的加载区域内,在处于热处理炉的下方侧的卸载位置的晶圆舟皿与上述排气口之间设有排气风道,该排气风道形成有用于对由于卸载而被加热成高温的气氛气体进行排气的热排气用的排气口。 | ||
搜索关键词: | 热处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种热处理装置,其是将分层保持有多张基板的基板保持器从立式的热处理炉的下方侧送入到该立式的热处理炉内并对基板进行热处理的装置,其中,该热处理装置包括:加载室,其位于上述热处理炉的下方侧;保持器升降机构,其设在上述加载室内,用于使基板保持器在上述热处理炉内的加载位置与上述热处理炉的下方的卸载位置之间升降;气流形成机构,其用于从上述加载室的前表面朝向与该前表面相对的后表面的第1排气口地形成横向的气流;保持器输送机构,其能够将上述基板保持器输送到上述卸载位置;热排气部,在从左右方向观察处于上述卸载位置的上述基板保持器时,该热排气部位于比该基板保持器的前端靠后方侧且比上述第1排气口靠前方侧的位置、并且形成有第2排气口,该第2排气口至少与上述基板保持器的上部区域相对而用于对由卸载后的上述基板保持器及上述基板加热成高温的气氛气体进行排气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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